孙艳梅 副教授，工学博士，硕士生导师。

学   科：电子科学与技术、集成电路工程

主要研究方向：纳米元器件

标志性成果：Y.M. Sun, N.A. He, Y.F. Wang, Q. Yuan, D.Z. Wen, Multilevel memory and artificial synaptic plasticity in P(VDF-TrFE)-based ferroelectric field effect transistors, Nano Energy 98 (2022) 107252。

专   利：

1.孙艳梅,温殿忠. 一种响应温度刺激的阻变存储器的制备方法. ZL 201910954291.0.授权发明专利。

2.孙艳梅,温殿忠.一种基于大豆蛋白的阻变存储器及其制备方法和应用. ZL 201910955015.6 授权发明专利。

项   目：

目前主持省自然科学基金项目2项，黑龙江省省属高等学校基本科研业务费基础研究项目2项。参与国家基金项目1项，省自然科学基金项目3项。

论   文：目前在Nano Energy, Chemical Engineering Journal, Journal of colloid and interface science, ACS Materials Letter, Small等国际权威期刊发表学术论文50余篇。部分代表性论文如下：

[1] Y.M. Sun, M. Liu, B.X. Li, A Temperature Sensory Leaky Integrate-and-Fire Artificial Neuron Based on Chitosan/PNIPAM Bilayer Volatile Complementary Resistive Switching Memristor, Small 25 (2024) 404177

[2] Y.M. Sun, X.R. Meng, G.X. Qin, Optoelectronic neuron based on transistor combined with volatile threshold switching memristors for neuromorphic computing, Journal of colloid and interface science 678 (2025) 325-335

[3] Y.M. Sun, X.R. Meng, G.X. Qin, Artificial pain-perceptual nociceptor emulation based on graphene oxide synaptic transistors, Chemical Engineering Journal 498 (2024)155571

[4] Y.M. Sun, N.A. He, Y.F. Wang, Q. Yuan, D.Z. Wen, Multilevel memory and artificial synaptic plasticity in P(VDF-TrFE)-based ferroelectric field effect transistors, Nano Energy 98 (2022) 107252

地   址：黑龙江省哈尔滨南岗区学府路74号  150080  

电子邮箱：sunyanmei@hlju.edu.cn