主要研究方向：微纳集成传感器与纳米元器件

  标志性成果：

        [1] nc-Si:H薄膜晶体管压/磁传感器模型与集成化研究. 黑龙江省科学技术进步二等奖.第三完成人.

  专 利：

        [1] 赵晓锋, 李森, 刘媛媛, 艾春鹏. 一种具有闭环功能的微力加载机构及其制作工艺与应用. 201710292103.3.国家发明专利. 申请日：2017.04.28.

        [2] 赵晓锋, 邓祁, 艾春鹏, 温殿忠. 一种复合磁场传感器及其制作工艺. 201710295965.1. 国家发明专利. 申请日：2017.04.28.

  获 奖：

        [1] nc-Si:H薄膜晶体管压/磁传感器模型与集成化研究. 黑龙江省科学技术进步二等奖.第三完成人.

  项 目：

        [1] 基于磁控溅射制备ZnO薄膜研究. 黑龙江大学.项目负责人：艾春鹏. 起止时间：2014.12-2016.12

        [2]基于MEMS技术Li：ZnO力传感器制作工艺与特性研究. 黑龙江省教育厅.项目负责人：艾春鹏. 起止时间

  标志性论文：

        [1] C. Ai, X. Zhao. D. Wen, Characteristics Research of a High Sensitivity Piezoelectric MOSFET Acceleration Sensor[J]. Sensors (Basel) 2020, 20 (17).

        [2] C. Ai, X. Zhao, S. Li, Y. Li, Y. Bai. D. Wen, Fabrication and Characteristic of a Double Piezoelectric Layer Acceleration Sensor Based on Li-Doped ZnO Thin Film[J]. Micromachines (Basel) 2019, 10 (5).

        [3] C. Ai, X. Zhao, Y. Bai, Y. Li. D. Wen, Fabrication and characteristic of force sensor based on piezoelectric effect of Li-doped ZnO thin films[J]. Modern Physics Letters B 2018, 32 (18).

  学 历 简 介：

    2007年 黑龙江大学 微电子技术专业 学士学位

2011年 黑龙江大学 微电子学与固体电子学专业 硕士学位

  工 作 简 介：

    2011进入黑龙江大学电子工程学院工作。2014年晋升为实验师。

    参与国家级项目5项并完成校级项目1项，主持厅级项目1项。在Sensors、Micromachines、Organic Electronics等SCI期刊上发表论文10余篇。获黑龙江省科技进步二等奖一项。参与申请国家发明专利2项、参与获国家实用新型专利2项。

 

地    址：黑龙江省哈尔滨南岗区学府路74号  150080  

电子邮箱：aichunpeng@hlju.edu.cn